IBM y Samsung anunciaron su último avance en el diseño de semiconductores: una nueva forma de apilar los transistores verticalmente en un chip.
Los Transistores de Efecto de Campo de Transporte Vertical (VTFET) logran que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo de la pila de transistores en lugar de la disposición horizontal de lado a lado que se utiliza en la mayoría de los chips.
Al mismo tiempo, el nuevo diseño de transistores están pensados para permitir la creación de chips con una densidad de transistores aún mayor que la actual. Además, sustituirá a la actual tecnología FinFET que se utiliza en los chips más avanzados de la actualidad.
Ambas compañías plantean usos bien ambiciosos de esta tecnología, incluyendo que las baterías de teléfonos móviles que podrían pasar más de una semana sin cargarse. También, podrá ser utilizada en minería de criptomonedas, cifrado de datos con menor consumo de energía, e incluso naves espaciales.
A principios de este año, IBM reveló su primer chip de 2nm, que adopta una vía diferente para introducir más transistores aumentando la cantidad que puede caber en un chip utilizando el diseño FinFET existente. Sin embargo, con VTFET se puede llevar los chips a un nuevo nivel.
Probablemente, pasara un tiempo, incluso años, antes de que estén disponibles chips con la nueva tecnología de IBM y Samsung.
IBM y Samsung no son los únicos en diseñan una tecnología que para sustituir a FinFET. Intel presentó hace unos meses su próximo diseño RibbonFET (el primer transistor con puerta de entrada). Este diseño formará parte de la generación Intel 20A de productos semiconductores, cuya producción está prevista que comience en 2024.
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